Высший физический колледж (Е)

Материал из Энциклопедия МИФИ

Энциклопедия МИФИ > Факультеты > Высший физический колледж (Е)
Перейти к: навигация, поиск
[досмотренная версия][досмотренная версия]
(Как поступить в колледж)
Строка 8: Строка 8:
| Деканат        =  Г-205
| Деканат        =  Г-205
| Заместители декана =
| Заместители декана =
-
| Телефон        =  (495)323-90-20, местный 96-16
+
| Телефон        =  (495) 323-90-20, местный 96-16, [[VoIP МИФИ|VoIP]] 9020
| Факс            =   
| Факс            =   
| E-mail          =   
| E-mail          =   
Строка 14: Строка 14:
}}
}}
-
'''Высший физический колледж''', он же '''факультет Е''' - факультет МИФИ, созданный в 1991 году с целью совершенствования высшего физического образования и создания дополнительных условий для развития творческих способностей одаренных студентов.   
+
'''Высший физический колледж''', он же '''факультет Е''' факультет МИФИ, созданный в 1991 году с целью совершенствования высшего физического образования и создания дополнительных условий для развития творческих способностей одаренных студентов.   
== Специальности ==
== Специальности ==
Строка 27: Строка 27:
Студенты колледжа по-сути заканчивают одну из кафедр другого факультета (это кафедры [[Факультет Экспериментальной и Теоретической физики (Т)|факультета Т]] или [[Факультет Автоматики и электроники (А)|факультета А]]), но получая при этом более глубокое образование. Они занимаются по углубленным программам фундаментальной подготовки на младших курсах и по [[Индивидуальный план|индивидуальным планам]] на старших. Английский язык изучается по расширенной программе. С четвертого курса начинается изучение второго иностранного языка.
Студенты колледжа по-сути заканчивают одну из кафедр другого факультета (это кафедры [[Факультет Экспериментальной и Теоретической физики (Т)|факультета Т]] или [[Факультет Автоматики и электроники (А)|факультета А]]), но получая при этом более глубокое образование. Они занимаются по углубленным программам фундаментальной подготовки на младших курсах и по [[Индивидуальный план|индивидуальным планам]] на старших. Английский язык изучается по расширенной программе. С четвертого курса начинается изучение второго иностранного языка.
-
== Как поступить в колледж==
+
== Как поступить в колледж ==
Набор на факультет (5-10 человек) производится на конкурсной основе из числа студентов всех факультетов МИФИ после окончания первого курса.
Набор на факультет (5-10 человек) производится на конкурсной основе из числа студентов всех факультетов МИФИ после окончания первого курса.

Версия 20:57, 10 января 2011

Высший физический колледж
Основан:

1991

Декан:

Менушенков Алексей Павлович

Деканат:

Г-205

Телефон:

(495) 323-90-20, местный 96-16, VoIP 9020



Высший физический колледж, он же факультет Е — факультет МИФИ, созданный в 1991 году с целью совершенствования высшего физического образования и создания дополнительных условий для развития творческих способностей одаренных студентов.

Специальности

Колледж готовит специалистов в областях:

  • физики взаимодействия концентрированных потоков излучения с веществом
  • физики сверхпроводимости
  • физики и технологии наноструктур
  • микроэлектроники
  • физики взаимодействия плазмы с поверхностью
  • релятивистской ядерной физики

Студенты колледжа по-сути заканчивают одну из кафедр другого факультета (это кафедры факультета Т или факультета А), но получая при этом более глубокое образование. Они занимаются по углубленным программам фундаментальной подготовки на младших курсах и по индивидуальным планам на старших. Английский язык изучается по расширенной программе. С четвертого курса начинается изучение второго иностранного языка.

Как поступить в колледж

Набор на факультет (5-10 человек) производится на конкурсной основе из числа студентов всех факультетов МИФИ после окончания первого курса.

Ссылки

Страница ВФК на официальном сайте МИФИ

Помощь