Высший физический колледж (Е)
Материал из Энциклопедия МИФИ
[досмотренная версия] | [досмотренная версия] |
Lamen (Обсуждение | вклад) |
Lamen (Обсуждение | вклад) |
||
Строка 26: | Строка 26: | ||
* релятивистской ядерной физики | * релятивистской ядерной физики | ||
- | Студенты колледжа по-сути заканчивают одну из кафедр другого факультета (это кафедры [[Факультет Экспериментальной и Теоретической физики (Т)|факультета Т]] или [[Факультет Автоматики и электроники (А)|факультета А]]), но получая более глубокое образование. | + | Студенты колледжа по-сути заканчивают одну из кафедр другого факультета (это кафедры [[Факультет Экспериментальной и Теоретической физики (Т)|факультета Т]] или [[Факультет Автоматики и электроники (А)|факультета А]]), но получая при этом более глубокое образование. Они занимаются по углубленным программам фундаментальной подготовки на младших курсах и по [[Индивидуальный план|индивидуальным планам]] на старших. Английский язык изучается по расширенной программе. С четвертого курса начинается изучение второго иностранного языка. |
== Как поступить в колледж== | == Как поступить в колледж== | ||
Набор на факультет (30 человек) производится на конкурсной основе из числа студентов всех факультетов МИФИ после окончания первого курса. | Набор на факультет (30 человек) производится на конкурсной основе из числа студентов всех факультетов МИФИ после окончания первого курса. |
Версия 21:10, 13 января 2010
Высший физический колледж | |
Основан: |
1991 |
---|---|
Декан: |
Менушенков Алексей Павлович |
Деканат: |
Г-205 |
Телефон: |
(495)323-90-20, местный 96-16 |
Высший физический колледж, он же факультет Е - факультет МИФИ, созданный в 1991 году с целью совершенствования высшего физического образования и создания дополнительных условий для развития творческих способностей одаренных студентов.
Специальности
Колледж готовит специалистов в областях:
- физики взаимодействия концентрированных потоков излучения с веществом
- физики сверхпроводимости
- физики и технологии наноструктур
- микроэлектроники
- физики взаимодействия плазмы с поверхностью
- релятивистской ядерной физики
Студенты колледжа по-сути заканчивают одну из кафедр другого факультета (это кафедры факультета Т или факультета А), но получая при этом более глубокое образование. Они занимаются по углубленным программам фундаментальной подготовки на младших курсах и по индивидуальным планам на старших. Английский язык изучается по расширенной программе. С четвертого курса начинается изучение второго иностранного языка.
Как поступить в колледж
Набор на факультет (30 человек) производится на конкурсной основе из числа студентов всех факультетов МИФИ после окончания первого курса.